La continua e sempre più crescente richiesta di wearable con display trasparente e sottile ha stimolato la ricerca e l’innovazione nel comparto. Il team del KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) è riuscito a sviluppare gli esperimenti dei propri predecessori, ottenendo un transistor ultra sottile e trasparente (ultrathin-film transistor, TFT) indossabile sulla pelle come se fosse il display di un wearable.
In qualche modo, stiamo diventando dipendenti da dispositivi sempre più complessi e ciò accade per molti aspetti della nostra vita. In alcune situazioni diventa persino cruciale poter disporre di informazioni provenienti dalla rete in tempo reale, ed è questo che ha indotto la ricerca a cercare di soddisfare la domanda sempre più crescente di wearable e display trasparenti.
Sono stati moltissimi i tentativi di sviluppo, ma i risultati finora non riuscivano mai a soddisfare le aspettative: display poco trasparenti, performance elettriche inadeguate, incapacità di resistenza ad alte temperature. O almeno fino ad oggi, ovvero fino alla presentazione dei risultati da parte del KAIST che sembrerebbe aver superato brillantemente ogni ostacolo più insormontabile.
I professori Keon Jae Lee e Sang-Hee Ko Park, insieme ai loro team di ricerca dei Dipartimenti di Scienze dei Materiali e Ingegneria al KAIST, sono riusciti a fabbricare una matrice attiva TFT ad alte prestazioni, per una scheda elettronica costituita da un display flessibile, reso tale da un substrato laser reattivo temporaneo basato su un semiconduttore inorganico (ILLO – inorganic-based laser lift-off) capace di dissolversi a fine processo.
Il test di indossabilità ha evidenziato una trasparenza ottica del materiale plastico ultrasottile pari all’83% e una resistenza alla flessione durante numerosi test.
Attraverso il processo ILLO, si sono aperte le porte alla produzione di display trasparenti ultrasottili ad un costo relativamente basso, se paragonato ad ogni altro tentativo proposto nel corso del tempo. Le applicazioni wearable verranno rese possibili dall’uso di semi-conduttoori ad alta qualità, trasferibili finalmente su substrati flessibili.
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